簡介
在半導體集成電路的制造過程中，硅晶圓被切割成單獨的芯片，然后再組裝到引線框上，封裝成電子芯片。
傳統的切割工藝使用一種非常鋒利的刀片切割硅晶圓，以得到單獨的芯片。然而，刀片切割會出現問題。特別是，無論刀片有多鋒利，都會向芯片和作為整體的晶圓施加應力。為了獲得越來越小、越來越薄的芯片，以及轉而使用低k值（介電常數）電介質和銅材料，需要在使用刀片切割晶圓之前采用激光技術在晶圓表面刻蝕開槽，以克服電介質材料的頂層部分和亞表面裂紋等問題。
激光開槽是一個需要分兩步完成的工藝。先使用激光在穿透晶圓表面幾層到正好進入硅層的位置制成“火車道”溝槽，以分隔芯片的邊緣。接下來，后續激光會去除“火車道”之間的“街道”上的材料?！敖值馈鼻謇砀蓛艉?，就可以使用刀片切割晶圓了。得益于這種激光開槽工藝，刀片就只需切割硅層，而不必切割其他表層材料了。
使用激光共聚焦顯微鏡測量激光溝槽的輪廓
激光開槽的優點使其成為切割晶圓的較佳半導體制造工藝。然而，激光開槽本身也存在著挑戰性。激光系統較為復雜，需要在晶圓上定位，以確保能在晶圓上沿著正確的輪廓開出溝槽。溝槽本身必須無誤，而且要符合制造商規定的輪廓和公差要求。為了確保激光系統設置正確，制造商需要一種可以測量激光溝槽輪廓的工具，以核查溝槽是否達到了規定的公差。
奧林巴斯OLS5000激光共聚焦掃描顯微鏡非常適合于對激光溝槽的輪廓進行JQ測量。這款顯微鏡可以提供制造商所要求的定量性數據，以核查溝槽是否達到制造商的公差標準。顯微鏡可以快速進行的成像操作，其寬大的300毫米 × 300毫米的電動載物臺可以輕松放入12英寸的晶圓。顯微鏡軟件的采集和分析功能可使操作人員方便地測量激光溝槽輪廓的深度和寬度。
使用OLS5000顯微鏡保證激光開槽質量的：
顯微鏡可以快速進行JQ的成像操作，其寬大的300毫米 × 300毫米的 電動載物臺可以輕松放入12英寸的晶圓。
可配置的多區域采集功能可對晶圓上的激光溝槽進行自動多點采集。
在采集過程中，綜合使用顯微鏡的405 nm激光源、0.8 nm光學Z軸標度、4K掃描技術和專用的LEXT物鏡，可以JQ地測量激光溝槽的3D輪廓。
用戶可以創建一個分析模板，用于自動測量激光溝槽3D輪廓的寬度和深度。
可以將所有測量數據輕松地編制成一份完整的質量報告。
